FP35R12KT4BOSA1
Descrição:
IGBT MOD 1200V 35A 210W
Categoria:
Circuito integrado do SI
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
35 A
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
EconoPIM™ 2
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
2.25V @ 15V, 35A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo de IGBT:
Parada de campo da trincheira
Potência - Máximo:
210 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP35R12
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 35 A 210 W Módulo montado no chassi
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