MG25P12P3
Descrição:
Transistores - IGBTs - módulos P3
Categoria:
Circuito integrado do SI
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
25 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 25A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Atual - interrupção do coletor (máxima):
1 miliampère
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
175 W
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade entrada (Cies) @ Vce:
1.9 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico com freio
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Módulo IGBT Inverter trifásico com travagem 1200 V 25 A 175 W montado no chassi
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Resíduos:
MOQ: