Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
420 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Módulo D-3
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
3.7V @ 15V, 300A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D3
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
TNP
Potência - Máximo:
2100 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
19 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Não, não.
Introdução
Módulo IGBT NPT Meia ponte 1200 V 420 A 2100 W Montador do chassi D3
Envie o RFQ
Resíduos:
MOQ: