FF100R12KS4HOSA1
Descrição:
IGBT MOD 1200V 150A 780W
Categoria:
Circuito integrado do SI
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Atual - coletor (CI) (máximo):
150 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
c
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C
Corrente - limite do colector (máximo):
5 miliampères
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
780 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
650 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF100R12
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente montado no chassi de 1200 V 150 A 780 W
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