FP50R12N2T7PBPSA1
Descrição:
Módulo IGBT de 1200 V, 50 A PIM
Categoria:
Circuito integrado do SI
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPIMTM 2, TRENCHSTOPTM
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI:
1.85V @ 15V, 25A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-ECONO2B
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
µA 4
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
N-F 11,1 @ 25 V
Configuração:
Inversor trifásico
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 50 A 20 mW Montador de chassi AG-ECONO2B
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Resíduos:
MOQ: