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A2T23H300-24SR6

Descrição:
TRANSPORTE RF LDMOS DE IC
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos Transistores FET, MOSFET FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Voltagem nominal:
65 V
Pacote:
Tape & Reel (TR) Faixa de corte (TC) Digi-Reel®
Configuração:
Duplo
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NI-1230-4LS2L
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
2.3GHz
Ganho:
140,9 dB
Embalagem / Caixa:
NI-1230-4LS2L
Atual - teste:
750 miliampères
Potência - saída:
66W
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Número do produto de base:
A2T23
Introdução
RF Mosfet 28 V 750 mA 2,3 GHz 14,9 dB 66W NI-1230-4LS2L
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: