A2I25H060NR1
Descrição:
IC RF LDMOS AMP
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem nominal:
65 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Configuração:
Duplo
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-270WB-17
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
20,59 GHz
Ganho:
26.1 dB
Embalagem / Caixa:
TO-270-17 Variante, com cabos planos
Atual - teste:
26 miliampères
Potência - saída:
10.5W
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Número do produto de base:
A2I25
Introdução
RF Mosfet 28 V 26 mA 2,59 GHz 26,1 dB 10,5 W TO-270WB-17
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Resíduos:
In Stock
MOQ: