CGH25120F
Descrição:
120W GAN HEMT 28V FET de 2,5 a 2,7 GHz
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Não para novos desenhos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Voltagem nominal:
84 V
Pacote:
Caixa
Série:
GaN
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
440162
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
Wolfspeed, Inc.
Frequência:
2.3 GHz ~ 2.7 GHz
Ganho:
12.5 dB
Embalagem / Caixa:
440162
Atual - teste:
500 miliampères
Potência - saída:
130W
Tecnologia:
HEMT
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Número do produto de base:
CGH25120
Introdução
RF Mosfet 28 V 500 mA 2,3 GHz ~ 2,7 GHz 12,5 dB 130W 440162
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: