PDTA114TEF,115
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
PNP - Preconceito
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
150 mV @ 500 μA, 10 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SC-89
Resistor - base (R1):
10 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Corrente - limite do colector (máximo):
1µA
Potência - Máximo:
150 mW
Embalagem / Caixa:
SC-89, SOT-490
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
200 @ 1mA, 5V
Número do produto de base:
PDTA114
Introdução
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) PNP - Montador de superfície pré-biasado 50 V 100 mA 150 mW SC-89
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Resíduos:
In Stock
MOQ: