MAGX-001214-125L00
Descrição:
Transistores GAN 125W de 1,2 a 1,4 GHz
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Voltagem nominal:
65 V
Pacote:
Em granel
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Tensão - teste:
50 V
Mfr:
Soluções Tecnológicas MACOM
Frequência:
1.2 GHz ~ 1.4 GHz
Ganho:
180,4 dB
Embalagem / Caixa:
-
Atual - teste:
100 miliampères
Potência - saída:
125W
Tecnologia:
HEMT
Câmbio de corrente nominal (Amp):
4.8A
Introdução
RF Mosfet 50 V 100 mA 1,2 GHz ~ 1,4 GHz 18,4 dB 125W
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: