FJN3308RBU
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN - Pre-inclinado
Frequência - transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Em granel
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Resistor - base (R1):
47 kOhms
Mfr:
semi-
Resistor - base do emissor (R2):
22 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
100nA (ICBO)
Potência - Máximo:
300 mW
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
56 @ 5mA, 5V
Número do produto de base:
FJN330
Introdução
Transistores bipolares pré-biasados (BJT) NPN - pré-biasados 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW através do buraco TO-92-3
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Resíduos:
In Stock
MOQ: