DTA113ZMT2L
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
100 miliampères
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de transistor:
PNP - Preconceito
Frequência - transição:
250 MHz
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Faixa de corte (TC)
Digi-Reel®
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
VMT3
Resistor - base (R1):
kOhms 1
Mfr:
Semicondutores Rohm
Resistor - base do emissor (R2):
10 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
500nA
Potência - Máximo:
150 mW
Embalagem / Caixa:
SOT-723
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
33 @ 5mA, 5V
Número do produto de base:
DTA113
Introdução
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) PNP - 50 V pré-biasado 100 mA 250 MHz 150 mW VMT3
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Resíduos:
In Stock
MOQ: