A2G22S251-01SR3
Descrição:
Transistores AIRFAST RF GAN de potência
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem nominal:
125 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
NI-400S-2S
Tensão - teste:
48 V
Mfr:
NXP USA Inc.
Frequência:
10,805 GHz ~ 2,2 GHz
Ganho:
170,7 dB
Embalagem / Caixa:
NI-400S-2S
Atual - teste:
200 mA
Potência - saída:
52 dBm
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
-
Número do produto de base:
A2G22
Introdução
RF Mosfet 48 V 200 mA 1,805 GHz ~ 2,2 GHz 17,7 dB 52 dBm NI-400S-2S
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Resíduos:
In Stock
MOQ: