PTFA261702E V1
Descrição:
IC FET RF LDMOS 170W H-30275-4
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montagem de superfície
Voltagem nominal:
65 V
Pacote:
Caixa
Série:
-
Figura de ruído:
-
Pacote de dispositivos do fornecedor:
H30275-4
Tensão - teste:
28 V
Mfr:
Tecnologias Infineon
Frequência:
20,66 GHz
Ganho:
15 dB
Embalagem / Caixa:
2-Flatpack, Fin Leads
Atual - teste:
1.8 A
Potência - saída:
170W
Tecnologia:
ldmos
Câmbio de corrente nominal (Amp):
10µA
Introdução
RF Mosfet 28 V 1.8 A 2.66GHz 15dB 170W H-30275-4
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Resíduos:
In Stock
MOQ: