NE3521M04-T2-A
Descrição:
IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
FET, MOSFET
FET de RF, MOSFET
Estatuto do produto:
Obsoletos
Configuração:
N-canal
Voltagem nominal:
4 V
Pacote:
Tape & Reel (TR)
Série:
-
Figura de ruído:
0.85dB
Tensão - teste:
2 V
Mfr:
CEL
Frequência:
20GHz
Ganho:
11 dB
Embalagem / Caixa:
4-SMD, de condução plana
Atual - teste:
6 mA
Potência - saída:
-
Tecnologia:
GaAs HJ-FET
Câmbio de corrente nominal (Amp):
70 mA
Introdução
RF Mosfet 2 V 6 mA 20 GHz 11 dB
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: