PDTC115ES,126
Descrição:
TRANS PREBIAS NPN 500 MW TO92-3
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
Bipolar (BJT)
Transistores bipolares únicos, pré-b
Corrente - colector (Ic) (máximo):
20 miliampères
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de transistor:
NPN - Pre-inclinado
Tipo de montagem:
Através do Buraco
Pacote:
Fita & Caixa (TB)
Série:
-
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI:
150 mV @ 250 μA, 5 mA
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
50 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
TO-92-3
Resistor - base (R1):
100 kOhms
Mfr:
NXP USA Inc.
Resistor - base do emissor (R2):
100 kOhms
Corrente - limite do colector (máximo):
1µA
Potência - Máximo:
500 mW
Embalagem / Caixa:
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formou ligações
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce:
80 @ 5mA, 5V
Número do produto de base:
PDTC115
Introdução
Transistor bipolar pré-biasado (BJT) NPN - pré-biasado 50 V 20 mA 500 mW através do buraco TO-92-3
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Resíduos:
In Stock
MOQ: