MGS803
Especificações
				
						Categoria:
						
																				Produtos de semicondutor discretos
Diodos
Diodos do RF
					
						Atual - máximo:
						
																				50 miliampères
					
						Estatuto do produto:
						
																				Atividade
					
						Pacote:
						
																				Caixa
					
						Série:
						
																				MGS8xx
					
						Capacidade @ Vr, F:
						
																				0.06pF @ 0V, 1MHz
					
						Resistência @ se, F:
						
																				7Ohm @ 5mA, 1MHz
					
						Voltagem - Pico inverso (máximo):
						
																				5V (minuto)
					
						Pacote de dispositivos do fornecedor:
						
																				chip
					
						Mfr:
						
																				Soluções Tecnológicas MACOM
					
						Embalagem / Caixa:
						
																				Morrer.
					
						Dissipação de poder (máxima):
						
																				75 mW
					
						Tipo de diodo:
						
																				Schottky - 1 emparelha a conexão de série
					
						Temperatura de funcionamento:
						
																				-65°C ~ 150°C
					
						Número do produto de base:
						
														MGS8
					Introdução
				
						Diodo RF Schottky - Conexão em série de 1 par 5V (min) 50 mA 75 mW Chip
					                            
                      					
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							Resíduos:
							
						
							            							 
                                        In Stock
                                        							        							    							        							    							        							    														
						
							MOQ:
							
							            							    							        							    							        							    							        							    														
						
					

 
        