APTGT100A120D1G
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 150A 520W D1
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
150 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
D1
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
D1
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
3 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
520 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
7 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Não, não.
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Meia ponte 1200 V 150 A 520 W Montador de chassi D1
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: