APTGF100A1202G
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
135 A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP2
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
3.7V @ 15V, 100A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP2
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-
Corrente - limite do colector (máximo):
250 μA
Tipo IGBT:
TNP
Potência - Máximo:
568 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
6.5 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Não, não.
Introdução
Módulo IGBT NPT Half Bridge 1200 V 135 A 568 W Montador do chassi SP2
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Resíduos:
In Stock
MOQ: