MIP50R12E1ATN-BP
Descrição:
Módulos IGBT 1200V 50A, E1A
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
E1A
Mfr:
Micro Co comercial
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
288 W
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.6 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
MIP50
Introdução
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 50 A 288 W Montador do chassi E1A
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Resíduos:
In Stock
MOQ: