FS75R12W2T7B11BOMA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
65 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EasyPACK™
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.55V @ 15V, 75A (tipo)
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C
Corrente - limite do colector (máximo):
13 µA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
15.1 nF @ 25 V
Configuração:
Ponte completa
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FS75R12
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge 1200 V 65 A 20 mW Módulo montado no chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: