FF200R17KE4HOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
310 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
c
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
W 1250
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF200R17
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Módulo de montagem de chassi independente de 1700 V 310 A 1250 W
Envie o RFQ
Resíduos:
In Stock
MOQ: