DD1200S12H4HOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
A 1200
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
IHM-B
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.35V @ 15V, 1200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Potência - Máximo:
1200000 W
Tipo IGBT:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Input:
Padrão
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
DD1200
Introdução
Módulo IGBT 2 Módulo independente de montagem do chassi de 1200 V 1200 A 1200000 W
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Resíduos:
In Stock
MOQ: