NXH100B120H3Q0STG
Descrição:
Módulo IGBT 1200V 50A 186W PIM22
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
22 PIM/Q0BOOST (55x32,5)
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
200 µA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
186 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
9.075 nF @ 20 V
Configuração:
2 Independente
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
NXH100
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira 2 Independente 1200 V 50 A 186 W Chassis Mount 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
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Resíduos:
In Stock
MOQ: