DF200R12PT4B6BOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
300 A
Estatuto do produto:
Descontinuado na Digi-Key
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EconoPACKTM 4
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C
Corrente - limite do colector (máximo):
µA 15
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
1100 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
12.5 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
DF200R12
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 300 A 1100 W Módulo montado no chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: