A1P50S65M2-F
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
50 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.3V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
650 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
ACEPACKTM 1
Mfr:
STMicroelectrónica
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
100 μA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
208 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
4.15 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
A1P50
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 650 V 50 A 208 W Chassis Mount ACEPACKTM 1
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Resíduos:
In Stock
MOQ: