FP10R12W1T7B3BOMA1
Descrição:
Módulo IGBT de baixa potência
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
10 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
EasyPIMTM
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
1.6V @ 15V, 10A (tipo)
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
AG-EASY1B-2
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
µA 4,5
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
1.89 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Número do produto de base:
FP10R12
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três fases 1200 V 10 A 20 mW Montador de chassi AG-EASY1B-2
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Resíduos:
In Stock
MOQ: