APTCV90TL12T3G
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
80A
Estatuto do produto:
Obsoletos
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
SP3
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.2V @ 15V, 50A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
SP3
Mfr:
Microsemi Corporation
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
280 w
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
2.77 nF @ 25 V
Configuração:
Inverter de três níveis - IGBT, FET
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Modulo IGBT Paragem de campo de trincheira Inverter de três níveis - IGBT, FET 1200 V 80 A 280 W Montador do chassi SP3
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Resíduos:
In Stock
MOQ: