MG25P12E1
Descrição:
Transistores - IGBTs - módulos E1
Categoria:
Circuito integrado do SI
In-stock:
em existência
Método do pagamento:
L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Shipping Method:
LCL, AIR, FCL, Express
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
25 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Em granel
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.25V @ 15V, 25A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
Tecnologia Yangjie
Temperatura de funcionamento:
175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
1 mA
Tipo IGBT:
-
Potência - Máximo:
20 mW
Input:
retificador de ponte trifásico
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
1.45 nF @ 25 V
Configuração:
Inversor de três fases
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Módulo IGBT Inverter de três fases 1200 V 25 A 20 mW Montador do chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: