VS-GT75YF120UT
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
118 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.6V @ 15V, 75A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
-
Mfr:
General semicondutor de Vishay - divisão dos diodos
Corrente - limite do colector (máximo):
100 μA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
431 W
Input:
Padrão
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Configuração:
Ponte completa
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Módulo IGBT Paragem de campo de trincheira Full Bridge 1200 V 118 A 431 W Montador de chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: