NXH80T120L3Q0S3G
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
75 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
-
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.4V @ 15V, 80A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1200 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
20-PIM/Q0PACK (55x32,5)
Mfr:
semi-
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
300 µA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
188 W
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
18.15 nF @ 20 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Sim, sim.
Introdução
Modulo IGBT Trench Field Stop Half Bridge 1200 V 75 A 188 W Chassis Mount 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
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Resíduos:
In Stock
MOQ: