FF200R17KE3HOSA1
Especificações
Categoria:
Produtos de semicondutores discretos
Transistores
IGBTs
Módulos IGBT
Corrente - colector (Ic) (máximo):
310 A
Estatuto do produto:
Atividade
Tipo de montagem:
Montura do chassi
Pacote:
Caixa
Série:
c
Embalagem / Caixa:
Modulo
Vce ((on) (Max) @ Vge, Ic:
2.45V @ 15V, 200A
Voltagem - Desagregação do emissor do colector (máximo):
1700 V
Pacote de dispositivos do fornecedor:
Modulo
Mfr:
Tecnologias Infineon
Temperatura de funcionamento:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Corrente - limite do colector (máximo):
3 mA
Tipo IGBT:
Paragem de campo de trincheiras
Potência - Máximo:
W 1250
Input:
Padrão
Capacidade de entrada (Cies) @ Vce:
18 nF @ 25 V
Configuração:
Meia ponte
Termistor NTC:
- Não, não.
Número do produto de base:
FF200R17
Introdução
Módulo IGBT Trinch Field Stop Half Bridge 1700 V 310 A 1250 W Módulo de Montagem em Chassi
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Resíduos:
In Stock
MOQ: