Casa > produtos > Circuito integrado do SI

Circuito integrado do SI

Imagemparte #DescriçãofabricanteResíduosRFQ
BLC9G20LS-120VTY

BLC9G20LS-120VTY

MOSFET RF LDMOS 28V SOT1271-2
em existência
UNR221D00L

UNR221D00L

TRANS PREBIAS NPN 200 MW MINI3
em existência
CLF1G0035-100PU

CLF1G0035-100PU

MOSFET RF HEMT 50V LDMOST
em existência
MRF8P20100HR3

MRF8P20100HR3

FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
em existência
RN1110(T5L,F,T)

RN1110(T5L,F,T)

Trans Prebias NPN 50V 0.1A
em existência
NSBC144EPDXV6T1

NSBC144EPDXV6T1

TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563
em existência
MRF18060ALR5

MRF18060ALR5

FET RF 65V 1,88 GHz NI-780
em existência
UNR911TG0L

UNR911TG0L

TRANS PREBIAS PNP 125 MW SSMINI3
em existência
ON5204,127

ON5204,127

MOSFET RF SOT263 TO-220-5
em existência
MMUN2132LT1G

MMUN2132LT1G

Trans Prebias PNP 50V SOT23-3
em existência
FJY4004R

FJY4004R

Trans Prebias PNP 200 MW SOT523F
em existência
PDTA114EM,315

PDTA114EM,315

TRANS PREBIAS PNP 250 MW SOT883
em existência
UNR421400A

UNR421400A

TRANS PREBIAS NPN 300 MW NS-B1
em existência
PDTC123JQCZ

PDTC123JQCZ

PDTC123JQC/SOT8009/DFN1412D-3
em existência
C4H27W400AVZ

C4H27W400AVZ

C4H27W400AVZ/SOT1275/TRAYD
em existência
MHT1006NT1

MHT1006NT1

FET RF 65V 2,17 GHz PLD1,5W
em existência
NHDTC123JTR

NHDTC123JTR

NHDTC123JT/SOT23/TO-236AB
em existência
BLF8G27LS-100GVQ

BLF8G27LS-100GVQ

FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C do RF
em existência
MRFG35003NT1

MRFG35003NT1

FET RF 15V 3,55 GHz 1,5-PLD
em existência
MRF6VP21KHR5

MRF6VP21KHR5

FET RF 2CH 110V 225MHZ NI-1230
em existência
MMBF5485

MMBF5485

JFET N-CH 25V 10MA SOT23
em existência
FJY4009R

FJY4009R

Trans Prebias PNP 200 MW SOT523F
em existência
ARF448AG

ARF448AG

FETS RF N CH 450V 15A TO247
em existência
DTC015TMT2L

DTC015TMT2L

Trans PREBIAS NPN 50V VMT3
em existência
BLF7G27LS-75P,112

BLF7G27LS-75P,112

FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B do RF
em existência
GTRA362002FC-V1-R0

GTRA362002FC-V1-R0

200W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
em existência
BF1212.215

BF1212.215

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B
em existência
BCR142L3 E6327

BCR142L3 E6327

TRANS PREBIAS NPN 250 MW TSLP-3
em existência
VRF150MP

VRF150MP

MOSFET RF N-CHANNEL 50V M174
em existência
A partir de 1 de janeiro de 2014, o número de unidades de produção será alterado para:

A partir de 1 de janeiro de 2014, o número de unidades de produção será alterado para:

FET RF LDMOS 65V 20DB SOT1244C
em existência
UNR522600L

UNR522600L

TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
em existência
BLF7G22LS-200.112

BLF7G22LS-200.112

FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B do RF
em existência
BLF2425M9LS30U

BLF2425M9LS30U

FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135B do RF
em existência
BLF6G21-10G, 135

BLF6G21-10G, 135

FET LDMOS 65V 18.5DB SOT538A do RF
em existência
MRF8P20100HSR3

MRF8P20100HSR3

FET RF 2CH 65V 2.03GHZ NI780H-4
em existência
UNR32AB00L

UNR32AB00L

TRANS PREBIAS NPN 100 MW SSSMINI3
em existência
UNR521FG0L

UNR521FG0L

TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
em existência
PDTC114EM,315

PDTC114EM,315

TRANS PREBIAS NPN 250 MW SOT883
em existência
2N5484_D26Z

2N5484_D26Z

JFET N-CH 25V 5MA TO92
em existência
BLF7G20LS-250P,118

BLF7G20LS-250P,118

FET RF LDMOS 65V 18DB SOT539B
em existência
RN1302,LF

RN1302,LF

TRANS PREBIAS NPN 50V 0,1A USM
em existência
MMUN2235LT1G

MMUN2235LT1G

TRANS PREBIAS NPN 0,246W SOT-23
em existência
BLF6G38-50.135

BLF6G38-50.135

FET RF LDMOS 65V 14DB SOT502A
em existência
BCR139F E6327

BCR139F E6327

Trans PREBIAS NPN 250 MW TSFP-3
em existência
CGHV40200PP-AMP1

CGHV40200PP-AMP1

1.7-1.9GHZ, AMP W/ CGHV40200PP
em existência
2N5245_J35Z

2N5245_J35Z

JFET N-CH 30V 15MA TO92
em existência
DDTC123TE-7

DDTC123TE-7

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
em existência
PDTA143XK,115

PDTA143XK,115

Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
em existência
BF998.215

BF998.215

MOSFET NCH Dual GATE 12V SOT143B
em existência
BF1202R,215

BF1202R,215

MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
em existência
182 183 184 185 186