Filtros
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Circuito integrado do SI
| Imagem | parte # | Descrição | fabricante | Resíduos | RFQ | |
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BLF2425M7L140.118 |
FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502A do RF
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em existência
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BF909R,235 |
MOSFET N-CH 7V 40MA SOT143
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em existência
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DTA143EE-TP |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
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em existência
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BLP8G10S-270PWY |
FET RF LDMOS 65V 20DB SOT12212
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em existência
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DDTC143FUA-7 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT323
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em existência
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DTC144VCAT116 |
O DTC144VCA é um transistor digital.
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em existência
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RN2108MFV,L3F |
TRANS PREBIAS PNP 50 V 0.1A VESM
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em existência
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BLS9G3135L-115U |
BLS9G3135L-115/SOT1135/TRAY
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em existência
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PDTA144WK,115 |
Trans Prebias PNP 250 MW SMT3
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em existência
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BLM7G1822S-40PBY |
FET RF LDMOS 65V 31.5DB SOT12111
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em existência
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DRDNB26W-7 |
Trans Prebias NPN/DIÓDE SOT363
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em existência
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MMRF1020-04NR3 |
MOSFET RF LDMOS DL 48V OM780-4
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em existência
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FJNS3211RTA |
TRANS PREBIAS NPN 300 MW TO92S
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em existência
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BLF6G05LS-200RN: 11 |
FET LDMOS 65V 24DB SOT502B do RF
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em existência
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RN2101CT(TPL3) |
TRANS PREBIAS PNP 20 V 0,05 A CST3
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em existência
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MRF21010LR5 |
FET RF 65V 2,17 GHz NI-360
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em existência
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DTA143ZCAT116 |
PNP -100MA -50V TRANSISTÃO DIGITAL
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em existência
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MRF8P20160HSR5 |
FET RF 2CH 65V 1.92GHZ
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em existência
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BLF10M6LS135U |
FET RF LDMOS 65V 21DB SOT502B
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em existência
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BF1102R,115 |
FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
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em existência
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BLF7G22LS-160.118 |
FET LDMOS 65V 18DB SOT502B do RF
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em existência
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BLP9H10-30GZ |
BLP9H10-30G/SOT1483/REELDP
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em existência
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BCR149L3 E6327 |
TRANS PREBIAS NPN 250 MW TSLP-3
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em existência
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DTB123YCHZGT116 |
PNP -500MA -50V TRANSISTÃO DIGITAL
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em existência
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RN1101MFV,L3F(CT |
Trans Prebias NPN 50V 0,1A VESM
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em existência
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RN1303 ((TE85L,F) |
TRANS PREBIAS NPN 50V 0,1A USM
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em existência
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DTA143TE3HZGTL |
PNP DIGITAL TRANSISTOR (AEC-Q101), em conformidade com o anexo I, parte B, do Regulamento (CE) n.o 7
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em existência
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BLF6G27S-45.112 |
FET RF LDMOS 65V 18DB SOT608B
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em existência
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MRF9085LSR5 |
FET RF 65V 880MHZ NI-780S
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em existência
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RN1411, LF |
Trans Prebias NPN 50V 0.1A SMINI
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em existência
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RN1416,LF |
Trans Prebias NPN 50V 0.1A SMINI
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em existência
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BLF8G20LS-220U |
FET RF LDMOS 65V 18.9DB SOT502B
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em existência
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UNR511800L |
TRANS PREBIAS PNP 150 MW SMINI3
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em existência
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ADTC124ECAQ-7 |
Transistor PREBIAS SOT23
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em existência
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DDTA144ECA-7 |
Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
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em existência
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MRF136 |
FET RF 65V 400MHZ 211-07
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em existência
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DDTC123TCA-7 |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
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em existência
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MRF7S16150HSR3 |
FET RF 65V 1,66 GHz NI-780S
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em existência
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RN2108ACT(TPL3) |
TRANS PREBIAS PNP 50V 0,08A CST3
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em existência
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MRF373ALSR1 |
FET RF 70V 860MHZ NI-360S
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em existência
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PDTA114EU/ZLX |
PDTA114EU/ZLX
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em existência
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BLF8G20LS-400PVJ |
FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B do RF
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em existência
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DTC123JET1G |
Trans Prebias NPN 50V 100MA SC75
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em existência
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J310G |
JFET N-CH 25V 60MA TO92
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em existência
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DDTA123YKA-7-F |
TRANS PREBIAS PNP 200 MW SC59-3
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em existência
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A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de utilização do sistema de controlo de emissões de gases de efeito estufa deve ser fixada no valor normal. |
FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4
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em existência
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DRC2143X0L |
TRANS PREBIAS NPN 200 MW MINI3
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em existência
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J310_D74Z |
JFET N-CH 25V 60MA TO92
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em existência
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UNR9212J0L |
TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
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em existência
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BLF884PS, 112 |
FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B do RF
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em existência
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