Casa > produtos > Circuito integrado do SI

Circuito integrado do SI

Imagemparte #DescriçãofabricanteResíduosRFQ
BCR519 E6327

BCR519 E6327

TRANS PREBIAS NPN 300 MW SOT23-3
em existência
BLF6G10S-45.112

BLF6G10S-45.112

FET LDMOS 65V 23DB SOT608B do RF
em existência
DDTB123EU-7-F

DDTB123EU-7-F

TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT323
em existência
MRF7S15100HR5

MRF7S15100HR5

FET RF 65V 1,51 GHz NI780
em existência
DDTC144WKA-7-F

DDTC144WKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SC59-3
em existência
BLF4G10-160.112

BLF4G10-160.112

Transistor RF LDMOS SOT502A
em existência
FJN4312RBU

FJN4312RBU

TRANS PREBIAS PNP 300 MW TO92-3
em existência
BLF574XR, 112

BLF574XR, 112

FET LDMOS 110V 23DB SOT1214A do RF
em existência
PDTC114EMB,315

PDTC114EMB,315

TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006B-3
em existência
BLF9G24LS-150VU

BLF9G24LS-150VU

Transporte RF 150W ACC-6
em existência
DDTC143XUA-7

DDTC143XUA-7

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT323
em existência
BLF6G22L-40P, 112

BLF6G22L-40P, 112

FET LDMOS 65V 19DB SOT1121A do RF
em existência
DDTC124EKA-7-F

DDTC124EKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SC59-3
em existência
MRFE6S9160HR5

MRFE6S9160HR5

FET RF 66V 880MHZ NI-780
em existência
RN1106, LXHF(CT

RN1106, LXHF(CT

Auto AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=4.7K
em existência
GTVA261802FC-V1-R2

GTVA261802FC-V1-R2

180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
em existência
PDTC124ET-QR

PDTC124ET-QR

PDTC124ET-Q/SOT23/TO-236AB
em existência
MRF6V2300NR5

MRF6V2300NR5

FET RF 110V 220MHZ TO-270-4
em existência
NSVMUN2236T1G

NSVMUN2236T1G

SS SC59 BR XSTR NPN 50V
em existência
BF908,215

BF908,215

MOSFET N-CH 12V 40MA SOT143B
em existência
BLL6H1214-500.112

BLL6H1214-500.112

FET RF LDMOS 100V 17DB SOT539A
em existência
DDTA123JE-7-F

DDTA123JE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
em existência
RN1403, LXHF

RN1403, LXHF

Auto AEC-Q SINGLE NPN Q1BSR=22K,
em existência
NE6510179A-T1-A

NE6510179A-T1-A

FET RF 8V 1,9 GHz 79A
em existência
BLL8H1214L-250U

BLL8H1214L-250U

FET LDMOS 100V 17DB SOT502A do RF
em existência
DTC943TUBTL

DTC943TUBTL

TRANS PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
em existência
DTC114YETL

DTC114YETL

TRANS PREBIAS NPN 150 MW EMT3
em existência
PDTA123YS,126

PDTA123YS,126

TRANS PREBIAS PNP 500 MW TO92-3
em existência
MRF8S9102NR3

MRF8S9102NR3

FET RF 70V 920MHZ OM780-2
em existência
SMMUN2234LT1G

SMMUN2234LT1G

Trans Prebias NPN 50V SOT23-3
em existência
PBRP113ZT,215

PBRP113ZT,215

TRANS PREBIAS PNP 40V até 236AB
em existência
DTC115TMT2L

DTC115TMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
em existência
BLL8H1214L-500U

BLL8H1214L-500U

FET RF LDMOS 100V 17DB SOT539A
em existência
FJY4014R

FJY4014R

Trans Prebias PNP 200 MW SOT523F
em existência
MRF9045GNR1

MRF9045GNR1

FET RF TO-270-2 GW
em existência
NHDTA123JUF

NHDTA123JUF

NHDTA123JU/SOT323/SC-70
em existência
DTC123EET1

DTC123EET1

Trans Prebias NPN 200 MW SC75
em existência
ON5157,127

ON5157,127

MOSFET RF TO220AB TO220AB
em existência
DDTA122LU-7

DDTA122LU-7

TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT323
em existência
CGH40010F

CGH40010F

HEMT 28V 440166 do MOSFET do RF
em existência
DRC5143Y0L

DRC5143Y0L

TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
em existência
PD55015STR-E

PD55015STR-E

FET RF 40V 500MHZ PWRSO-10
em existência
DTA124TKAT146

DTA124TKAT146

Trans Prebias PNP 200 MW SMT3
em existência
MRF6S21100HR3

MRF6S21100HR3

FET RF 68V 2.17GHZ NI-780
em existência
FJNS4202RTA

FJNS4202RTA

TRANS PREBIAS PNP 300 MW TO92S
em existência
BLF8G24L-200P,118

BLF8G24L-200P,118

FET RF LDMOS 65V 17.2DB SOT539A
em existência
UNR92A1G0L

UNR92A1G0L

TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
em existência
ATF-531P8-BLK

ATF-531P8-BLK

FET RF 7V 2GHZ 8-LPCC
em existência
DRC5124E0L

DRC5124E0L

TRANS PREBIAS NPN 150 MW SMINI3
em existência
ATF-35143-TR2G

ATF-35143-TR2G

FET RF 5,5 V 2 GHz SOT-343
em existência
214 215 216 217 218