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Circuito integrado do SI

Imagemparte #DescriçãofabricanteResíduosRFQ
RN2105, LF(CT

RN2105, LF(CT

Trans Prebias PNP 50V 0,1A
em existência
UNR921FG0L

UNR921FG0L

TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
em existência
PTFA091201GL V1

PTFA091201GL V1

IC FET RF LDMOS 120W PG-63248-2
em existência
BLA1011-200R,112

BLA1011-200R,112

FET LDMOS 75V 13DB SOT502A do RF
em existência
MMRF1024HSR5

MMRF1024HSR5

FET RF 2CH 65V 2,5 GHz NI-1230-4
em existência
MUN2132T1G

MUN2132T1G

TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
em existência
BCR151L3 E6327

BCR151L3 E6327

TRANS PREBIAS PNP 250 MW TSLP-3
em existência
CGHV35060MP

CGHV35060MP

HEMT 50V 20TSSOP do MOSFET do RF
em existência
DTC123TCAT116

DTC123TCAT116

NPN, SOT-23, R1 TÍPO DIGITAL ÚNICO
em existência
A partir de 1 de janeiro de 2014:

A partir de 1 de janeiro de 2014:

MOSFET RF N-CH JFET 10V SOT23
em existência
DDTC125TE-7-F

DDTC125TE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
em existência
FJX4009RTF

FJX4009RTF

TRANS PREBIAS PNP 200 MW SOT323
em existência
PDTA114YQB-QZ

PDTA114YQB-QZ

PDTA114YQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
em existência
PDTC123JK,115

PDTC123JK,115

TRANS PREBIAS NPN 250 MW SMT3
em existência
ATF-54143-BLKG

ATF-54143-BLKG

FET RF 5V 2GHZ SOT-343
em existência
BLF6G38LS-100,112

BLF6G38LS-100,112

FET RF LDMOS 65V 13DB SOT502B
em existência
BCR103F E6327

BCR103F E6327

Trans PREBIAS NPN 250 MW TSFP-3
em existência
BLF7G24L-100,118

BLF7G24L-100,118

FET LDMOS 65V 18DB SOT502A do RF
em existência
DDTB114EC-7-F

DDTB114EC-7-F

Trans Prebias PNP 200 MW SOT23-3
em existência
MW6S010GMR1

MW6S010GMR1

FET RF 68V 960MHZ TO270-2GW
em existência
DDTC143ECA-7

DDTC143ECA-7

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
em existência
AFG24S100HR5

AFG24S100HR5

TRANSPORTE RF LDMOS DE IC
em existência
ADTA124ECAQ-13

ADTA124ECAQ-13

PREBIAS TRANSISTOR SOT23 T&R 10K
em existência
PTFA192401EV4R250FTMA1

PTFA192401EV4R250FTMA1

FET RF 65V 1.96GHZ H-36260-2
em existência
DTC115ECAT116

DTC115ECAT116

NPN 100MA 50V TRANSISTOR DIGITAL
em existência
BLF6G20LS-180RN:11

BLF6G20LS-180RN:11

FET RF LDMOS 65V 17.2DB SOT502B
em existência
DTC143XSATP

DTC143XSATP

TRANS PREBIAS NPN 300 MW SPT
em existência
CGHV96050F1

CGHV96050F1

RF MOSFET HEMT 40V 440210
em existência
BLF2425M7L250P, 112

BLF2425M7L250P, 112

FET LDMOS 65V 15DB SOT539A do RF
em existência
A partir de 1 de janeiro de 2015

A partir de 1 de janeiro de 2015

FET RF 8V 3,55 GHz PLD-1.5
em existência
RN2114MFV,L3F

RN2114MFV,L3F

TRANS PREBIAS PNP 50 V 0.1A VESM
em existência
A2T20H330W24SR6

A2T20H330W24SR6

TRANSPORTE RF LDMOS DE IC
em existência
NTE2358

NTE2358

T-PNP SI W/22K RESISTOR
em existência
MRFE6S9200HR3

MRFE6S9200HR3

FET RF 66V 880 MHz NI-880
em existência
BLF578.112

BLF578.112

FET RF LDMOS 110V 24DB SOT539A
em existência
MRFX035HR5

MRFX035HR5

TRANS LDMOS 35W 512 MHZ 65V
em existência
A Comissão Europeia

A Comissão Europeia

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de pessoas sujeitas a um regime de exclusão deve ser alte
em existência
UNR921CJ0L

UNR921CJ0L

TRANS PREBIAS NPN 125 MW SSMINI3
em existência
BLA1011-2.112

BLA1011-2.112

FET RF 75V 1,09 GHz SOT538A
em existência
PDTD113EQAZ

PDTD113EQAZ

Trans PREBIAS NPN 50V DFN1010D-3
em existência
BLM7G1822S-40PBGY

BLM7G1822S-40PBGY

FET LDMOS 65V 31.5DB SOT12121 do RF
em existência
PDTC114TM,315

PDTC114TM,315

TRANS PREBIAS NPN 50V DFN1006-3
em existência
BLF6G27LS-100,112

BLF6G27LS-100,112

FET LDMOS 65V SOT502A do RF
em existência
NHDTA114YUX

NHDTA114YUX

NHDTA114YU/SOT323/SC-70
em existência
VRF148A

VRF148A

MOSFET RF N-CHANNEL 50V M113
em existência
DTB123EKFRAT146

DTB123EKFRAT146

Transistor digital de 500 MA/-50 V (W)
em existência
BLF898SU

BLF898SU

MOSFET RF LDMOS 50V SOT539B
em existência
DDTC115TCA-7

DDTC115TCA-7

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT23-3
em existência
PTFA190451EV4XWSA1

PTFA190451EV4XWSA1

IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2
em existência
DDTC144TE-7-F

DDTC144TE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
em existência
226 227 228 229 230