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Circuito integrado do SI

Imagemparte #DescriçãofabricanteResíduosRFQ
Métodos de ensaio

Métodos de ensaio

FET RF 133V 512MHZ NI360L
em existência
PDTA113ZE,115

PDTA113ZE,115

Trans Prebias PNP 150 MW SC75
em existência
MMRF1015GNR1

MMRF1015GNR1

FET RF 68V 960 MHz
em existência
PDTA114YU,115

PDTA114YU,115

Transposição de energia de 50 V a 100 MA
em existência
BLF4G22LS-130.112

BLF4G22LS-130.112

FET RF 65V 2,17 GHz SOT502B
em existência
RN2304 ((TE85L,F)

RN2304 ((TE85L,F)

TRANS PREBIAS PNP 50V 0,1A USM
em existência
MRFE6VP61K25HSR5

MRFE6VP61K25HSR5

FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
em existência
PDTA143ZS,126

PDTA143ZS,126

TRANS PREBIAS PNP 500 MW TO92-3
em existência
BLF8G27LS-150GVJ

BLF8G27LS-150GVJ

FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C do RF
em existência
FJY3007R

FJY3007R

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SOT523F
em existência
BLF6G20-230P

BLF6G20-230P

IC BASESTATION FINAL SOT502A
em existência
NSV9435T1G

NSV9435T1G

TRANS PREBIAS PNP 0,72W SOT223-4
em existência
BLF2425M9L30J

BLF2425M9L30J

FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A do RF
em existência
DTD114EKT146

DTD114EKT146

TRANS PREBIAS NPN 200 MW SMT3
em existência
MMBFJ309

MMBFJ309

MOSFET RF N-CH JFET 10V SOT23-3
em existência
DTA115TET1G

DTA115TET1G

TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC75
em existência
BLF7G27L-90P,112

BLF7G27L-90P,112

FET RF LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
em existência
PDTC114YQCZ

PDTC114YQCZ

PDTC114YQC/SOT8009/DFN1412D-3
em existência
BLF6G38-10G,112

BLF6G38-10G,112

FET RF LDMOS 65V 14DB SOT975C
em existência
DTC143EUA-TP

DTC143EUA-TP

NPN DIGITAL TRANSISTORSSOT-323 (em inglês)
em existência
BLF8G20LS-220J

BLF8G20LS-220J

FET RF LDMOS 65V 18.9DB SOT502B
em existência
DTC123JET1

DTC123JET1

Trans Prebias NPN 200 MW SC75
em existência
MRF7S21210HSR5

MRF7S21210HSR5

FET RF 65V 2,17 GHz NI-780S
em existência
PDTA123ET,215

PDTA123ET,215

Trans PREBIAS PNP 50V até 236AB
em existência
MW6S004NT1

MW6S004NT1

FET RF 68V 1.96GHZ PLD-1.5
em existência
PDTB113EQAZ

PDTB113EQAZ

TRANS PREBIAS PNP 3DFN
em existência
MRF6P24190HR5

MRF6P24190HR5

FET RF 68V 2.39GHZ NI-1230
em existência
RN1109CT(TPL3)

RN1109CT(TPL3)

Trans Prebias NPN 20V 0,05A CST3
em existência
MRFE6S9135HR3

MRFE6S9135HR3

FET RF 66V 940MHZ NI-880
em existência
UNR9118J0L

UNR9118J0L

TRANS PREBIAS PNP 125 MW SSMINI3
em existência
A3G26D055NT4

A3G26D055NT4

RF GAN MOSFET AIRFAST 8W 48V
em existência
DTA143ZE-TP

DTA143ZE-TP

TRANS PREBIAS PNP 150 MW SOT523
em existência
MRF6S19120HR5

MRF6S19120HR5

FET RF 68V 1,99 GHz NI-780
em existência
DTA123YCAHZGT116

DTA123YCAHZGT116

PNP -100MA -50V TRANSISTÃO DIGITAL
em existência
GTRA263902FC-V2-R0

GTRA263902FC-V2-R0

390W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
em existência
DTC114YM3T5G

DTC114YM3T5G

Trans Prebias NPN 50V SOT723
em existência
MRF8P20165WHR5

MRF8P20165WHR5

FET RF 2CH 65V 2.01GHZ NI780-4
em existência
DTA114YUAT106

DTA114YUAT106

Trans Prebias PNP 200 MW UMT3
em existência
DDTA143XKA-7-F

DDTA143XKA-7-F

TRANS PREBIAS PNP 200 MW SC59-3
em existência
PDTA114YS,126

PDTA114YS,126

TRANS PREBIAS PNP 500 MW TO92-3
em existência
MRF6S23100HR3

MRF6S23100HR3

FET RF 68V 2,4 GHz NI-780
em existência
PDTC144WT,215

PDTC144WT,215

Trans Prebias NPN 50V TO236AB
em existência
BLF8G22L-160BV, 118

BLF8G22L-160BV, 118

TRANSISTOR CDFM6
em existência
BLS6G2731-120,112

BLS6G2731-120,112

FET LDMOS 60V 13.5DB SOT502A do RF
em existência
RN2105MFV,L3F(CT

RN2105MFV,L3F(CT

TRANS PREBIAS PNP 50 V 0.1A VESM
em existência
BLC8G27LS-180AVZ

BLC8G27LS-180AVZ

FET LDMOS 65V 14DB SOT12753 do RF
em existência
DTC143XMFHAT2L

DTC143XMFHAT2L

NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRESPO)
em existência
MRF5S9080NR1

MRF5S9080NR1

FET RF 65V 960MHZ TO-270-4
em existência
PDTC144TMB,315

PDTC144TMB,315

TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
em existência
MRF8P26080HSR5

MRF8P26080HSR5

FET RF 2CH 65V 2.62GHZ NI780S-4
em existência
234 235 236 237 238